2025年陕西科技大学考研半导体物理考试大纲展示

2025年陕西科技大学硕士研究生入学考试大纲的发布，在物理相关专业考生中掀起了波澜。其中，半导体物理考试大纲的展示成为众多考生瞩目的焦点。考生们对大纲充满了期待，因为它将为他们展现半导体物理考试在半导体材料特性、PN 结原理等核心内容的考查框架。他们渴望借助大纲这一指引，深入半导体物理知识的微观世界，如同探索神秘的量子领域一般，定位复习要点，在考研的半导体物理考查中展现出自己对知识的深刻理解与掌握，为进入陕西科技大学深造半导体物理专业奠定基础。

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陕西科技大学硕士研究生招生考试

817 半导体物理 考试大纲

一、考试要求

要求考生对半导体物理学的基本概念有深入的理解，系统掌握半 导体物理学中基本定理和定律，并具有综合运用所学知识分析和解决 问题的能力。

二、考试内容

1 .晶体结构(金刚石、闪锌矿、纤锌矿结构)和半导体的结合性质;

2 .半导体中电子状态：Ge 、Si 、GaAs 能带结构，半导体有效质量、空穴、 杂质能级;回旋共振;

3 .半导体中的杂质和缺陷，杂质的补偿作用与应用，深能级杂质和浅能级杂质;

4 .热平衡状态下半导体载流子的统计分布：状态密度，费米能级，本征半导体和杂质半导体的载流子浓度，简并半导体和重掺杂效应;

5.半导体的导电性：载流子的漂移运动、迁移率、散射的概念， 半导体电导率随温度、杂质浓度的变化，强电场效应、热载流子，负阻效应;

6.非平衡载流子：非平衡载流子的注入与复合、寿命、准费米能级，爱因 斯坦关系等概念，复合理论，陷阱效应和连续性方程;

7.p-n 结：平衡与非平衡 p-n 结特点及其能带图，p-n 结理想和非理想 I-V 特性，p-n 结电容与击穿机制，p-n 结隧道效应。

参考书目：《半导体物理学》(第七版)刘恩科， 电子工业出版社。

大纲已展示在眼前，考生们要充分利用其价值进行复习。深入研究半导体物理大纲，对半导体的能带理论、载流子输运等重点知识进行深度挖掘。在复习过程中，结合半导体器件的实际应用案例，理解理论知识的实际意义。通过做练习题与模拟题，提高解题能力与知识运用能力。以踏实认真的态度和充足的准备，迎接考试的到来，在半导体物理领域的学术追求道路上迈出坚实的步伐。

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