25年国防科技大学自命题《CMOS数字集成电路设计》考研大纲
国防科技大学2025年的硕士研究生入学考试即将拉开帷幕，随着国防科技大学2025年全国硕士研究生招生考试自命题科目考试大纲发布，考生们可以更加清晰地认识到需要掌握的核心概念和技能。本篇文章将聚焦于《CMOS数字集成电路设计》考试大纲的关键内容，帮助25考研生们制定出更为合理的复习计划。
科目代码：F0204
科目名称：CMOS数字集成电路设计
一. 考试要求
主要考查学生对纳米级工艺条件下CMOS数字集成电路的基本理论、基础知识和基本设计方法的理解和掌握，以及应用这些知识解决CMOS数字集成电路相关设计问题的能力。
二、考试内容
1.晶体管模型及理论
集成电路发展历程，晶体管开关模型及基本CMOS逻辑门结构，长沟道晶体管模型，非理想I-V特性，逻辑门直流传输特性。
2.延时
延时的定义和计算，RC延时模型，逻辑努力延时模型，路径逻辑努力模型。
3.功耗和互连线
动态功耗，静态功耗，互连线的物理特性，互连线的影响及实现。
4.组合电路设计
静态CMOS电路优化，伪nMOS电路设计，动态电路设计，传输管电路设计。
5.时序电路设计
时序单元设计，延时约束，同步单元设计。
6.数据通路设计
加法器设计，乘法器设计，比较器、移位器等部件设计。
7.存储部件设计
SRAM设计，DRAM设计，ROM等其它类型存储部件设计。
8. 封装、电源及时钟
封装种类，电源网络设计原理，时钟网络设计原理。
三、考试形式
考试形式为闭卷、笔试，考试时间1.5-2.0小时,满分100分。
题型包括：选择题、简答题、计算题、分析题、综合题等。
四、参考书目
1.《CMOS超大规模集成电路设计(第四版)》，Neil Weste, David Harris著，周润德译，电子工业出版社，2012。
在备考的过程中，希望每位25考研生都能紧紧抓住《CMOS数字集成电路设计》考试大纲这个宝贵的机会，合理安排复习进度，科学备考。考研之路虽然不易，但每一步都向着成功的彼岸迈进，让我们共同期待那一天的到来。
